SK海力士发布全球首款238层4DNAND闪存

本报记者Xv子豪报道:8月3日，韩国知名存储芯片制造商SK海力士宣布成功研发出全球首款业界层数最多的238层NAND闪存，并在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会上发布了首款238层4D NAND闪存新产品。SK海力士表示:“这款238层NAND闪存在达到业界最高堆栈数的同时，实现了世界上最小的面积。”

自2020年12月SK海力士完成176层NAND闪存研发以来，仅用了一年零七个月，层数就达到了238层的新高度。据悉，SK海力士已经开始向客户发送238层512Gb TLC4D NAND闪存的样品，并计划于2023年上半年正式投入量产。负责NAND芯片研发的SK海力士副社长崔郑达表示:“基于4D NAND闪存技术，SK海力士在全球首次成功研发出238层NAND闪存，从而确保了在成本、性能和产品质量方面的全球领先竞争力。”

SK海力士在2018年开发的96层NAND闪存中引入了4D模式。与3D模式相比，4D建筑具有单位面积更小、生产效率更高的优势。为了成功开发4D架构的芯片，SK海力士采用了电荷俘获技术和PUC(PeriUnder Cell)技术。电荷俘获技术是一种浮栅闪存技术，可以解决单元间的干扰问题。因此，与FG技术相比，CTF可以减小芯片的单位面积，提高数据读写性能。

PUC技术可以将外围电路置于存储单元之下，以最大化生产效率。

据悉，238层NAND闪存在成功堆叠更高层的同时，实现了业界最小的面积。新产品的单位面积密度更高，以其更小的面积可以用相同尺寸的硅片生产更多的芯片，因此其生产效率也比176层NAND闪存提高了34%。

此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，比上一代产品提高了50%。芯片读取数据时的能耗也降低了21%，在ESG方面也取得了进展。

SK海力士计划为PC的存储设备——cSSD供应238层NAND闪存，然后逐步扩展到智能手机和大容量服务器固态硬盘。他们还将在2023年发布1Tb密度的238层NAND闪存新产品，密度是现有产品的两倍。

目前闪存层数之争已经进入白热化阶段，新闻不断。一周前，美国存储芯片巨头美光刚刚宣布全球首款开始量产的232层3D NAND芯片，引领3D NAND芯片进入200+-层时代。SK海力士发布了全球首款238层4D NAND闪存，三星、西部数据、铁甲侠等厂商也跃跃欲试。可以预见，闪存市场的竞争将会越来越激烈。

各厂商的3D NAND闪存堆叠技术原理基本相似，通过堆叠，可以在更小的空间和面积内实现更大的存储容量。但各家都有自己的技术架构和演进路线图，并不完全一致，比如三星的V NAND，东芝的BiCS技术3D NAND，英特尔的3D XPoint NAND等。研究分析师张显扬告诉记者，SK海力士的4D NAND封装工艺其实和TSMC、英特尔的各种3D NAND技术的开发路线非常相似，本质上是一种3D NAND FLASH。不同的是，4D NAND单芯片采用4层架构设计，结合了3D CTF设计和PUC技术。SK的4D NAND强调集成度和成本，美光的232层3D NAND更强调存储密度和带宽，产品侧重点不同。